鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-134U,

更新時間：2024-02-28

簡要描述：

鎧裝薄膜鉑熱電(dian)阻，WZPK-134U, 熱電(dian)阻的工(gong)作原理：在溫度的作用下，電(dian)阻絲的電(dian)阻隨(sui)之變化而變化。可用于測量 -200℃～﹢800℃范圍(wei)內的溫度。其優點是：偏差(cha)極小。由于它(ta)的良好電(dian)輸出性能，熱電(dian)阻可為(wei)顯示儀(yi)(yi)(yi)、記錄儀(yi)(yi)(yi)、調節儀(yi)(yi)(yi)、掃描儀(yi)(yi)(yi)及電(dian)腦提供精確的輸入值

鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-134U, 熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃～﹢800℃范圍內的溫度。其優點是：偏差極小。由于它的良好電輸出性能，熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值

鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-134U,的詳細資料：

1．   測(ce)溫(wen)范圍(wei)、允差

名稱	型(xing)號	分度號	測溫范圍	等級(ji)	允許偏差
鉑(bo)電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	A	±（0.15+0.02t）
鉑(bo)電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	B	±0.30+0.005t
銅電(dian)阻	WZC	Cu50 Cu100	-50~+150℃		±（0.30+0.006t）

2.熱響(xiang)應(ying)時間

在溫(wen)度出現階躍(yue)變(bian)化(hua)時,熱電阻的電阻值變(bian)化至相當于該階躍變(bian)化的50%，所需要的時間稱為熱響應(ying)時間，用t0.5表示。

3.自熱影響

鉑電阻允許通過(guo)電流(liu)1mA，zui大(da)測量電流為(wei)5mA，由(you)此(ci)產生的升溫不大(da)于0.3℃。

4.電阻溫度系數（α）與標稱(cheng)值的(de)偏差

名稱(cheng)	等級	α	α
鉑電阻	A	0．003851	±0.000006
鉑電阻	B	0．003851	±0.000012
銅電(dian)阻		0．004280	±0.000020

5.絕(jue)緣(yuan)電阻

當周圍空(kong)氣溫度15-35℃和(he)相對(dui)濕度小于80%時熱(re)電(dian)阻絕緣電(dian)阻不(bu)小于100MΩ。

薄膜鉑電阻元(yuan)件

一、     概述

CRZ系(xi)列薄膜鉑熱(re)電阻(zu)元件是把金屬鉑研制成粉(fen)漿，采用*的激光(guang)噴濺(jian)薄膜技術(shu)及光(guang)刻法和(he)干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光(guang)調阻(zu)制成，*自動的生產程序(xu)保證了產品*符(fu)合IEC標準。

二、   技術(shu)特點

1．   薄膜鉑熱電(dian)阻元件用陶瓷和鉑制成，因(yin)而在(zai)高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在(zai)-50～400℃的溫度(du)下使用。

2． ; ; 鉑薄膜通過激光噴(pen)濺在(zai)陶(tao)瓷表層，因(yin)而它具有(you)良(liang)好的防(fang)震(zhen)和防(fang)沖擊(ji)性(xing)能(neng)。

3．薄膜表面蓋以陶(tao)瓷，因(yin)而元件能夠承受高壓，并具(ju)有良好(hao)的(de)絕緣性。

4．   引線(xian)材料為鎳鍍(du)金和純鈀兩種。

5．    規(gui)格：

型號	規格長×寬×高	阻值	測量電流	精度	測量(liang)范(fan)圍	熱響應時(shi)間(jian)
CRZ-1632	3.2×1.6×1.0	PT100 PT100	≤1mA	A	-50～550℃	≤0.3S
CRZ-2005	5.0×2.0×1.1	PT50	≤2mA	A	-50～400℃
CRZ-2005	5.0×2.0×1.0	PT10	≤0.5mA	B	-50～500℃