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薄膜鉑熱電阻,WZP-6212U

更(geng)新時(shi)間(jian):2024-02-28

簡要描述:

薄膜鉑熱電(dian)阻,WZP-6212U, 熱電(dian)阻的工作(zuo)原理:在溫度(du)(du)的作(zuo)用下,電(dian)阻絲的電(dian)阻隨之變化(hua)而(er)變化(hua)。可用于(yu)測量 -200℃~﹢800℃范(fan)圍內的溫度(du)(du)。其優點是:偏差極小(xiao)。

薄膜鉑熱電阻,WZP-6212U, 熱電阻的工作原理:在溫度的作用下,電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃~﹢800℃范圍內的溫度。其優點是:偏差極小。由于它的良好電輸出性能,熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。
 WZP6212U薄膜鉑熱電阻,WZP-6212U的詳細資料:

1.              測溫范圍、允差

 

名稱

型(xing)號

分度號

測(ce)溫范(fan)圍(wei)

等級

允許偏(pian)差

鉑電阻

WZP

Pt100

Pt10

-200~±650

A

±(0.15+0.02t)

B

±0.30+0.005t

銅電阻(zu)

WZC

Cu50

Cu100

-50~+150

 

±(0.30+0.006t)

 

2.熱(re)響應時間

   在(zai)溫(wen)度出現階(jie)躍變化時,熱電阻的(de)電阻值變(bian)化(hua)至相當于該(gai)階躍(yue)變(bian)化(hua)的(de)50%,所(suo)需要的(de)時(shi)間稱為熱響應時(shi)間,用t0.5表(biao)示。

3.自熱影響

鉑電阻允許(xu)通過電流1mA,zui大測量電流為5mA,由此產生的升溫不大于(yu)0.3℃。

 

4.電阻溫度(du)系數(α)與標稱值的偏差

 

名稱(cheng)

等級(ji)

α

α

鉑電阻(zu)

A

0003851

±0.000006

B

±0.000012

銅(tong)電阻

 

0004280

±0.000020

 

5.絕緣電阻

     當周圍空(kong)氣(qi)溫度15-35和(he)相對濕度(du)小于(yu)80%時熱電阻(zu)絕緣電阻(zu)不小于100MΩ

 

薄膜(mo)鉑(bo)電(dian)阻元件(jian)

一(yi)、         概(gai)述

      CRZ系列薄膜鉑熱(re)電阻(zu)元件是把金屬鉑研制(zhi)成粉(fen)漿,采用*的激光(guang)噴(pen)濺(jian)薄膜技(ji)術及(ji)光(guang)刻法(fa)和(he)干燥蝕刻法(fa)把附著在陶瓷(ci)基片上(shang)形成膜,引線(xian)經過(guo)激光(guang)調阻(zu)制(zhi)成,*自(zi)動的生產(chan)程序(xu)保證了產(chan)品(pin)*符合(he)IEC標準。

二、         技術(shu)特點

1. ;    ;         薄(bo)膜鉑熱(re)電(dian)阻元件用陶瓷和鉑制成(cheng),因而在高溫下能夠保持優良的穩定(ding)性,適(shi)合在-50~400℃的溫(wen)度下使用。

2.         ;     鉑薄膜通(tong)過激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。

3.              薄膜表(biao)面蓋以(yi)陶瓷(ci),因而元(yuan)件能(neng)夠承受高壓,并具有(you)良好(hao)的絕緣性。

4.              引線(xian)材(cai)料為鎳鍍金和純鈀(ba)兩(liang)種。

5.              規格:

 

型號

規格

長×寬(kuan)×高

阻值(zhi)

測量電流

精度

測量范圍

熱響應(ying)時(shi)間

CRZ-1632

3.2×1.6×1.0

PT100

PT100

1mA

A

-50~550℃

0.3S

CRZ-2005

5.0×2.0×1.1

PT50

2mA

A

-50~400℃

CRZ-2005

5.0×2.0×1.0

PT10

0.5mA

B

-50~500℃

 

6.              精度:

 

等(deng)級

α

0時(shi)的(de)電阻值(zhi)(Ω)

允許偏差(Ω)

A

 0.003851

100.00

±0.150+0.002t

B

0.003851

100.00

±0.30+0.005t

 

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