1．              測溫范圍、允差

2.熱響應時間

   在溫度出現階躍變(bian)化時,熱電(dian)阻的電(dian)阻值變(bian)化至相當于該階躍變(bian)化的50%，所需要(yao)的(de)時間稱為熱響應時間，用t0.5表示(shi)。

3.自熱影響(xiang)

鉑電(dian)阻允許通(tong)過電(dian)流1mA，zui大測量(liang)電(dian)流為5mA，由(you)此(ci)產生(sheng)的升溫不大于0.3℃。

4.電阻溫(wen)度系(xi)數（α）與標稱(cheng)值的偏(pian)差

5.絕緣電阻

     當(dang)周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于(yu)80%時熱電(dian)阻絕緣(yuan)電(dian)阻不小(xiao)于100MΩ。

薄膜鉑電阻元(yuan)件

一、         概(gai)述(shu)

      CRZ系列薄(bo)膜(mo)鉑熱電阻元件是把(ba)金屬鉑研(yan)制(zhi)成(cheng)粉漿，采用*的激(ji)光噴濺薄(bo)膜(mo)技術(shu)及光刻法和干燥蝕(shi)刻法把(ba)附著在(zai)陶瓷基片上形成(cheng)膜(mo)，引線經過激(ji)光調阻制(zhi)成(cheng)，*自(zi)動的生產程序(xu)保(bao)證了(le)產品*符合IEC標準。

二、         ;技術特點(dian)

1．              薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制(zhi)成，因(yin)而(er)在高溫下能(neng)夠保(bao)持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。

2．              鉑薄膜(mo)通(tong)過激(ji)光(guang)噴濺在陶瓷表層(ceng)，因而它具(ju)有良(liang)好的防(fang)震和(he)防(fang)沖擊(ji)性能。

3．  ;            薄膜表面蓋以(yi)陶瓷，因而元件能夠承(cheng)受(shou)高壓，并具有良(liang)好的絕緣性。

4．              引線(xian)材料為鎳(nie)鍍金和(he)純(chun)鈀兩種。

5．           ;   規格(ge)：

6．              精度：