更新時間:2024-02-28
鎧裝(zhuang)薄膜鉑熱(re)(re)電(dian)(dian)(dian)阻(zu),WZPK-505U, 熱(re)(re)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)工(gong)作原理:在溫(wen)度的(de)(de)作用下,電(dian)(dian)(dian)阻(zu)絲的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)隨之變化而變化。可用于測量 -200℃~﹢800℃范圍內的(de)(de)溫(wen)度。其優(you)點是:偏差(cha)極小(xiao)。
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WZPK505U鎧裝薄膜鉑熱電阻,WZPK-505U,的詳細資料: |
1. 測溫范圍、允差
2.熱(re)響(xiang)應時間 在溫度出現(xian)階躍變(bian)化時,熱(re)電(dian)阻(zu)的電(dian)阻(zu)值變(bian)化至相當于(yu)該階躍變(bian)化的50%,所需要的時(shi)間(jian)稱為熱響應時(shi)間(jian),用t0.5表(biao)示。 3.自(zi)熱影響 鉑(bo)電阻允許通(tong)過電流1mA,zui大測量電(dian)流為5mA,由此(ci)產生的升溫(wen)不大于(yu)0.3℃。
4.電阻溫(wen)度(du)系數(α)與標稱(cheng)值的偏差
5.絕(jue)緣電阻 當周(zhou)圍空(kong)氣溫度15-35℃和相對濕度(du)小于80%時熱電(dian)(dian)阻絕緣電(dian)(dian)阻不小于100MΩ。
薄(bo)膜鉑(bo)電阻元件 一(yi)、 概(gai)述 CRZ系列薄膜鉑(bo)熱電(dian)阻元件是把(ba)金屬鉑(bo)研制成粉漿,采用*的激(ji)光噴(pen)濺(jian)薄膜技術及光刻法(fa)和(he)干燥蝕刻法(fa)把(ba)附著在陶瓷基片(pian)上形(xing)成膜,引線經過激(ji)光調(diao)阻制成,*自動的生產(chan)程序保證了產(chan)品*符合IEC標準。 二、 技術特點(dian) 1. 薄(bo)膜鉑(bo)熱電(dian)阻元(yuan)件用陶瓷(ci)和(he)鉑(bo)制成,因而在高溫下(xia)能夠保持優(you)良的穩定性,適合在-50~400℃的(de)溫度下使用(yong)。 2. 鉑薄膜(mo)通過激光噴濺(jian)在陶瓷(ci)表層,因而(er)它具(ju)有良好的防(fang)震和防(fang)沖擊性能。 3. 薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠(gou)承受(shou)高壓,并具有良好的(de)絕緣性。 4. 引線材料為鎳鍍(du)金和(he)純鈀兩種。 5. 規格:
6. 精度:
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021-56699281
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