鎧裝鉑熱波膜電阻，WZPK-466U

更新時(shi)間：2024-02-28

簡要描述：

鎧裝鉑(bo)熱(re)(re)波膜電(dian)阻(zu)，WZPK-466U熱(re)(re)電(dian)阻(zu)的工(gong)作(zuo)原理：在溫度(du)的作(zuo)用下，電(dian)阻(zu)絲的電(dian)阻(zu)隨之變化而變化。可(ke)用于(yu)測(ce)量 -200℃～﹢800℃范圍內的溫度(du)。其優(you)點是：偏差極小。由于(yu)它的良好(hao)電(dian)輸出性能，熱(re)(re)電(dian)阻(zu)可(ke)為顯(xian)示儀(yi)(yi)、記錄儀(yi)(yi)、調(diao)節儀(yi)(yi)、掃描儀(yi)(yi)及電(dian)腦提供精(jing)確(que)的輸入值。

鎧裝鉑熱波膜電阻，WZPK-466U, 熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃～﹢800℃范圍內的溫度。其優點是：偏差極小。由于它的良好電輸出性能，熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。

WZPK466U鎧裝鉑熱波膜電阻，WZPK-466U,的詳細資料：

1．   測溫范(fan)圍、允差

名稱	型(xing)號	分度號	測溫范圍	等級	允許偏差
鉑(bo)電(dian)阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	A	±（0.15+0.02t）
鉑(bo)電(dian)阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	B	±0.30+0.005t
銅電阻(zu)	WZC	Cu50 Cu100	-50~+150℃		±（0.30+0.006t）

2.熱響應時間

在(zai)溫度出現階躍變化時,熱電(dian)阻(zu)的電(dian)阻(zu)值(zhi)變(bian)化至相當于該階躍變(bian)化的50%，所需要的時間稱為(wei)熱響(xiang)應時間，用t0.5表(biao)示。

3.自熱(re)影響

鉑電阻允許(xu)通過電流1mA，zui大(da)測(ce)量電流(liu)為(wei)5mA，由(you)此(ci)產生的升溫不大于0.3℃。

4.電阻溫度系(xi)數（α）與(yu)標(biao)稱(cheng)值的偏差

名稱(cheng)	等級	α	α
鉑電阻(zu)	A	0．003851	±0.000006
鉑電阻(zu)	B	0．003851	±0.000012
銅電阻		0．004280	±0.000020

5.絕(jue)緣電阻

當周圍(wei)空(kong)氣溫度15-35℃和相(xiang)對(dui)濕度小于80%時熱(re)電阻絕緣電阻不小于100MΩ。

薄膜鉑電阻元(yuan)件

一(yi)、   ;概述

CRZ系列(lie)薄膜(mo)鉑(bo)熱(re)電阻(zu)(zu)元件是(shi)把金屬(shu)鉑(bo)研(yan)制成粉漿，采(cai)用(yong)*的(de)激(ji)光(guang)噴濺薄膜(mo)技術及光(guang)刻法和(he)干燥蝕(shi)刻法把附著(zhu)在陶瓷基片(pian)上形成膜(mo)，引線經過激(ji)光(guang)調阻(zu)(zu)制成，*自動的(de)生產程序保(bao)證了產品*符(fu)合IEC標準(zhun)。

二、   技術特點

1．     薄(bo)膜鉑(bo)(bo)熱(re)電阻(zu)元件用陶瓷和(he)鉑(bo)(bo)制成，因而在高溫下能夠(gou)保持優(you)良的(de)穩定(ding)性，適合在-50～400℃的溫度下使用(yong)。

2．   鉑薄膜(mo)通過激光噴(pen)濺在(zai)陶瓷表層，因而(er)它具(ju)有良好的防(fang)震和防(fang)沖擊性能。

3． ; 薄膜(mo)表面(mian)蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高(gao)壓，并具有良好的絕緣性。

4．   引線材料為鎳鍍(du)金和純鈀兩種。

5．   規格：

型號	規格長×寬(kuan)×高	阻值	測量電(dian)流	精度	測量范圍	熱響應時間
CRZ-1632	3.2×1.6×1.0	PT100 PT100	≤1mA	A	-50～550℃	≤0.3S
CRZ-2005	5.0×2.0×1.1	PT50	≤2mA	A	-50～400℃
CRZ-2005	5.0×2.0×1.0	PT10	≤0.5mA	B	-50～500℃