鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-524U

更(geng)新時間：2024-02-28

簡要描述：

鎧裝薄膜(mo)鉑熱電阻(zu)，WZPK-524U, 熱電阻(zu)的(de)工作(zuo)(zuo)原理：在溫度的(de)作(zuo)(zuo)用(yong)下，電阻(zu)絲的(de)電阻(zu)隨之變化而變化。可用(yong)于測量(liang) -200℃～﹢800℃范圍內的(de)溫度。

鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-524U

熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃～﹢800℃范圍內的溫度。其優點是：偏差極小。由于它的良好電輸出性能，熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。

詳細資料：

1．測溫范圍、允(yun)差

名稱	型號	分度號	測(ce)溫(wen)范圍	等(deng)級(ji)	允許偏差
鉑(bo)電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	A	±（0.15+0.02t）
鉑(bo)電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	B	±0.30+0.005t
銅電阻	WZC	Cu50 Cu100	-50~+150℃		±（0.30+0.006t）

2.熱響應時間

在溫度出(chu)現階(jie)躍變化(hua)時,熱(re)電阻(zu)的(de)(de)電阻(zu)值變化(hua)至(zhi)相當于(yu)該階(jie)躍變化(hua)的(de)(de)50%，所需要的(de)(de)時間稱為熱(re)響應(ying)時間，用t0.5表示。

3.自熱影響

鉑電阻允許通過(guo)電流(liu)1mA，zui大測量電流(liu)為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。

4.電阻溫(wen)度(du)系數（α）與標稱值的偏(pian)差

名稱	等(deng)級	α	α
鉑電阻	A	0．003851	±0.000006
鉑電阻	B	0．003851	±0.000012
銅(tong)電阻		0．004280	±0.000020

5.絕緣電阻

當(dang)周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時(shi)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。

薄膜鉑電阻元件

一、  概述(shu)

CRZ系列薄膜鉑熱電阻元(yuan)件是把金(jin)屬鉑研制成粉漿，采(cai)用*的激光噴濺薄膜技(ji)術及光刻(ke)法(fa)和干燥蝕刻(ke)法(fa)把附(fu)著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，*自動的生(sheng)產程序(xu)保證(zheng)了(le)產品*符合(he)IEC標準。

二、技術特(te)點(dian)

1．薄膜鉑熱電(dian)阻(zu)元件(jian)用陶瓷和鉑制成，因而在高(gao)溫(wen)(wen)下(xia)能夠保持優良(liang)的穩定性，適(shi)合在-50～400℃的溫(wen)(wen)度(du)下(xia)使用。

2．     鉑薄膜通(tong)過激光噴濺在陶(tao)瓷表(biao)層，因而它具有良好(hao)的防震和防沖擊性能。

3．   薄膜表(biao)面蓋以(yi)陶(tao)瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣(yuan)性(xing)。

4．   引線材(cai)料為(wei)鎳鍍金和純鈀兩種。

5． ;規格(ge)：

型號	規格(ge) 長×寬×高(gao)	阻值(zhi)	測量(liang)電流	精度	測量(liang)范圍(wei)	熱響(xiang)應時間
CRZ-1632	3.2×1.6×1.0	PT100 PT100	≤1mA	A	-50～550℃	≤0.3S
CRZ-2005	5.0×2.0×1.1	PT50	≤2mA	A	-50～400℃
CRZ-2005	5.0×2.0×1.0	PT10	≤0.5mA	B	-50～500℃