鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-523U

更新時(shi)間：2024-02-28

簡要描述：

鎧裝薄膜(mo)鉑熱電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)，WZPK-523U熱電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)的工作原理：在(zai)溫度(du)的作用(yong)下(xia)，電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)絲的電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)隨(sui)之變化而變化。可用(yong)于測量 -200℃～﹢800℃范(fan)圍內的溫度(du)。其優點是：偏差極小。由于它(ta)的良好(hao)電(dian)(dian)(dian)(dian)輸出性能，熱電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)可為顯示儀、記錄儀、調(diao)節儀、掃描儀及電(dian)(dian)(dian)(dian)腦提供精確(que)的輸入(ru)值。

鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-523U, 熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃～﹢800℃范圍內的溫度。其優點是：偏差極小。由于它的良好電輸出性能，熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。

WZPK-523U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-523U,的詳細資料：

1．   測(ce)溫范圍、允差

名稱	型號	分度號	測(ce)溫范(fan)圍	等級	允許(xu)偏差
鉑(bo)電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	A	±（0.15+0.02t）
鉑(bo)電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	B	±0.30+0.005t
銅電阻(zu)	WZC	Cu50 Cu100	-50~+150℃		±（0.30+0.006t）

2.熱響應(ying)時間

在(zai)溫(wen)度出(chu)現階躍(yue)變化時,熱(re)電(dian)阻的電(dian)阻值變(bian)化至相當于該階(jie)躍變(bian)化的50%，所需(xu)要(yao)的時(shi)間稱為熱響應時(shi)間，用t0.5表示。

3.自熱影響

鉑(bo)電(dian)阻允許通過電(dian)流1mA，zui大測量(liang)電(dian)流為(wei)5mA，由(you)此產生的升溫(wen)不大于0.3℃。

4.電阻溫度(du)系(xi)數(shu)（α）與標稱(cheng)值的偏差(cha)

名稱	等級	α	α
鉑電阻	A	0．003851	±0.000006
鉑電阻	B	0．003851	±0.000012
銅(tong)電阻(zu)		0．004280	±0.000020

5.絕緣電阻(zu)

當周(zhou)圍空氣溫(wen)度15-35℃和相對濕度(du)小于80%時熱電(dian)阻絕緣電(dian)阻不小(xiao)于100MΩ。

薄膜鉑電(dian)阻元件

一(yi)、 ; 概述

CRZ系列薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)鉑熱(re)電阻元件(jian)是把金(jin)屬鉑研制成(cheng)粉漿，采用*的激(ji)光噴(pen)濺薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)技術及光刻(ke)法和(he)干(gan)燥蝕刻(ke)法把附著(zhu)在陶(tao)瓷基片上形成(cheng)膜(mo)(mo)(mo)，引線經過激(ji)光調阻制成(cheng)，*自(zi)動的生產程序(xu)保(bao)證了產品(pin)*符合(he)IEC標(biao)準。

二(er)、   技術特點

1．薄膜(mo)鉑(bo)熱電阻(zu)元件用陶瓷和(he)鉑(bo)制成，因而在(zai)高溫下能夠保持優良(liang)的穩(wen)定性(xing)，適合在(zai)-50～400℃的溫度下(xia)使(shi)用。

2．   鉑薄膜(mo)通過激(ji)光噴濺在陶(tao)瓷表(biao)層，因(yin)而它具有(you)良好的(de)防震和防沖擊性(xing)能。

3．薄膜表面蓋以陶瓷，因而(er)元件能夠承(cheng)受高壓，并具(ju)有良好的絕緣性。

4．   引線材料為鎳(nie)鍍金和純鈀兩種(zhong)。

5． ; 規格：

型號	規格長(chang)×寬×高	阻(zu)值	測量(liang)電(dian)流	精度	測(ce)量范(fan)圍	熱響應時間
CRZ-1632	3.2×1.6×1.0	PT100 PT100	≤1mA	A	-50～550℃	≤0.3S
CRZ-2005	5.0×2.0×1.1	PT50	≤2mA	A	-50～400℃
CRZ-2005	5.0×2.0×1.0	PT10	≤0.5mA	B	-50～500℃