鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-163U

更新(xin)時間：2024-02-28

簡要描述：

鎧裝薄膜(mo)鉑熱電(dian)阻(zu)，WZPK-163U熱電(dian)阻(zu)的(de)(de)工作(zuo)原理：在溫度的(de)(de)作(zuo)用(yong)下，電(dian)阻(zu)絲的(de)(de)電(dian)阻(zu)隨之變化而變化。可用(yong)于測量 -200℃～﹢800℃范(fan)圍內的(de)(de)溫度。其優點是：偏差極小。由于它的(de)(de)良好電(dian)輸出性能，熱電(dian)阻(zu)可為顯示儀(yi)、記錄儀(yi)、調節儀(yi)、掃描(miao)儀(yi)及電(dian)腦提供精確的(de)(de)輸入(ru)值

鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-163U, 熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃～﹢800℃范圍內的溫度。其優點是：偏差極小。由于它的良好電輸出性能，熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值

WZPK163U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-163U,的詳細資料：

1．   測溫范圍、允(yun)差

名稱	型號	分(fen)度(du)號(hao)	測溫范圍	等(deng)級(ji)	允許偏(pian)差
鉑(bo)電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	A	±（0.15+0.02t）
鉑(bo)電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	B	±0.30+0.005t
銅(tong)電阻	WZC	Cu50 Cu100	-50~+150℃		±（0.30+0.006t）

2.熱響應時間(jian)

在溫度出(chu)現階躍(yue)變化時,熱電(dian)阻(zu)的電(dian)阻(zu)值(zhi)變(bian)化至相當于該(gai)階(jie)躍變(bian)化的50%，所需(xu)要(yao)的時(shi)(shi)間稱為熱(re)響應(ying)時(shi)(shi)間，用t0.5表示(shi)。

3.自熱影響

鉑電(dian)阻允許通過電(dian)流1mA，zui大測(ce)量電流為5mA，由此產生的(de)升溫不大(da)于0.3℃。

4.電阻溫度系數(shu)（α）與標稱值的偏差

名(ming)稱	等級	α	α
鉑電阻	A	0．003851	±0.000006
鉑電阻	B	0．003851	±0.000012
銅電阻		0．004280	±0.000020

5.絕緣電阻

當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電(dian)阻(zu)絕緣(yuan)電(dian)阻(zu)不(bu)小于100MΩ。

薄(bo)膜鉑電阻元件

一、   概述(shu)

CRZ系(xi)列(lie)薄(bo)膜(mo)(mo)鉑(bo)熱(re)電阻元件是把金屬(shu)鉑(bo)研制成(cheng)粉漿，采用*的激(ji)光噴濺薄(bo)膜(mo)(mo)技術及光刻法(fa)和干(gan)燥蝕刻法(fa)把附著(zhu)在陶瓷基片上形(xing)成(cheng)膜(mo)(mo)，引線經過激(ji)光調阻制成(cheng)，*自動(dong)的生產程序保證了(le)產品*符合IEC標準。

二、     技(ji)術特點

1．    薄(bo)膜鉑熱電(dian)阻元件(jian)用陶瓷和鉑制(zhi)成，因(yin)而在高溫下能夠(gou)保(bao)持(chi)優良的穩定性，適合(he)在-50～400℃的溫度下(xia)使(shi)用。

2．     鉑(bo)薄膜(mo)通過激光(guang)噴濺在陶瓷表層，因而它具有良(liang)好的防震(zhen)和防沖擊性能(neng)。

3．   薄(bo)膜表面蓋以(yi)陶瓷(ci)，因而元(yuan)件能(neng)夠(gou)承受(shou)高壓(ya)，并具有良好的(de)絕緣性(xing)。

4． ; 引線(xian)材料為鎳鍍金和純(chun)鈀兩種。

5． ;規格：

型號	規格長×寬×高	阻值	測量電流	精度(du)	測量(liang)范圍	熱(re)響應時(shi)間
CRZ-1632	3.2×1.6×1.0	PT100 PT100	≤1mA	A	-50～550℃	≤0.3S
CRZ-2005	5.0×2.0×1.1	PT50	≤2mA	A	-50～400℃
CRZ-2005	5.0×2.0×1.0	PT10	≤0.5mA	B	-50～500℃