鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-264U

更新時(shi)間：2024-02-28

簡要描述：

鎧裝薄膜鉑熱(re)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)，WZPK-264U 熱(re)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)工作(zuo)原理：在溫度(du)的(de)(de)作(zuo)用(yong)下，電(dian)(dian)(dian)阻(zu)絲的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)隨(sui)之變(bian)化而變(bian)化。可(ke)用(yong)于(yu)測量(liang) -200℃～﹢800℃范圍內的(de)(de)溫度(du)。其優點是：偏差極(ji)小。由于(yu)它的(de)(de)良好電(dian)(dian)(dian)輸出性能，熱(re)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)可(ke)為顯示儀(yi)、記錄儀(yi)、調節儀(yi)、掃描儀(yi)及電(dian)(dian)(dian)腦提供精確的(de)(de)輸入(ru)值

鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-264U, 熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃～﹢800℃范圍內的溫度。其優點是：偏差極小。由于它的良好電輸出性能，熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值

WZPK264U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-264U,的詳細資料：

1．測溫范圍、允差

名(ming)稱	型號	分(fen)度號	測(ce)溫范圍	等級	允許偏差
鉑電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	A	±（0.15+0.02t）
鉑電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	B	±0.30+0.005t
銅電(dian)阻	WZC	Cu50 Cu100	-50~+150℃		±（0.30+0.006t）

2.熱(re)響應時間

在溫度出現(xian)階躍變化時,熱電阻的電阻值(zhi)變化(hua)至相當(dang)于該(gai)階(jie)躍變化(hua)的50%，所需要(yao)的(de)時間(jian)稱為熱(re)響應時間(jian)，用t0.5表示。

3.自熱影(ying)響

鉑電阻允許通過電流1mA，zui大測量(liang)電(dian)流為(wei)5mA，由此產生的升(sheng)溫不大(da)于0.3℃。

4.電阻(zu)溫度系數(shu)（α）與標稱值的偏差(cha)

名稱	等級	α	α
鉑電阻(zu)	A	0．003851	±0.000006
鉑電阻(zu)	B	0．003851	±0.000012
銅電阻		0．004280	±0.000020

5.絕緣電阻

當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度(du)小于80%時熱電(dian)阻(zu)絕緣電(dian)阻(zu)不小于100MΩ。

薄膜鉑(bo)電阻元件

一、   概述

CRZ系(xi)列薄膜鉑(bo)熱電(dian)阻元件是把金屬鉑(bo)研(yan)制成粉漿(jiang)，采用*的(de)激光(guang)噴濺薄膜技(ji)術及(ji)光(guang)刻(ke)法和干(gan)燥(zao)蝕刻(ke)法把附著在陶瓷基片(pian)上形成膜，引線經過激光(guang)調阻制成，*自動的(de)生產程序保證了產品*符合(he)IEC標準。

二、技術特點

1．   薄(bo)膜鉑熱(re)電(dian)阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在(zai)高溫下能夠保持(chi)優良的穩定性，適合在(zai)-50～400℃的溫(wen)度(du)下使用。

2．   鉑薄膜通過激(ji)光噴濺在(zai)陶瓷表層，因而它(ta)具有良好的防(fang)震和(he)防(fang)沖擊(ji)性能。

3．薄膜表面(mian)蓋以(yi)陶瓷(ci)，因而元件(jian)能夠(gou)承受高壓(ya)，并(bing)具有(you)良好的絕緣性。

4．  引線材料(liao)為鎳鍍金和純鈀兩種(zhong)。

5．   規(gui)格(ge)：

型(xing)號	規格長×寬×高	阻值	測量電(dian)流	精(jing)度	測量范圍	熱響(xiang)應時間(jian)
CRZ-1632	3.2×1.6×1.0	PT100 PT100	≤1mA	A	-50～550℃	≤0.3S
CRZ-2005	5.0×2.0×1.1	PT50	≤2mA	A	-50～400℃
CRZ-2005	5.0×2.0×1.0	PT10	≤0.5mA	B	-50～500℃