鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-324U

更新時間：2024-02-28

簡要描述：

鎧裝(zhuang)薄膜鉑熱電(dian)阻(zu)，WZPK-324U 熱電(dian)阻(zu)的工作(zuo)(zuo)原理(li)：在溫度的作(zuo)(zuo)用下，電(dian)阻(zu)絲的電(dian)阻(zu)隨之變化而變化。可(ke)用于(yu)測(ce)量 -200℃～﹢800℃范圍內的溫度。其優(you)點是：偏差極小。由于(yu)它的良好電(dian)輸出(chu)性能，熱電(dian)阻(zu)可(ke)為(wei)顯(xian)示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電(dian)腦(nao)提供精確的輸入值。

鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-324U，熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃～﹢800℃范圍內的溫度。其優點是：偏差極小。由于它的良好電輸出性能，熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。

WZPK324U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-324U，的詳細資料：

1．  測(ce)溫(wen)范圍、允差

名(ming)稱	型號	分度號(hao)	測溫(wen)范圍	等級	允許(xu)偏差(cha)
鉑電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	A	±（0.15+0.02t）
鉑電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	B	±0.30+0.005t
銅電阻	WZC	Cu50 Cu100	-50~+150℃		±（0.30+0.006t）

2.熱響(xiang)應時間

在溫度(du)出(chu)現階躍變化時,熱電阻的(de)電阻值變化至相(xiang)當(dang)于該階(jie)躍變化的(de)50%，所需要的時(shi)間稱為熱(re)響應時(shi)間，用t0.5表示。

3.自(zi)熱影(ying)響

鉑(bo)電(dian)阻允(yun)許通過電(dian)流(liu)1mA，zui大測(ce)量電流為5mA，由此產生的升溫(wen)不(bu)大(da)于0.3℃。

4.電(dian)阻溫度(du)系數(shu)（α）與標稱(cheng)值(zhi)的偏差

名稱(cheng)	等級	α	α
鉑電阻	A	0．003851	±0.000006
鉑電阻	B	0．003851	±0.000012
銅電阻		0．004280	±0.000020

5.絕緣電阻

當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。

薄膜鉑電(dian)阻元件

一、   概述

CRZ系列薄(bo)(bo)膜鉑熱電阻元件是(shi)把金(jin)屬鉑研(yan)制成粉漿，采用*的激(ji)光噴濺薄(bo)(bo)膜技術及光刻法和(he)干燥蝕(shi)刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線(xian)經過激(ji)光調阻制成，*自動的生產程序保證了產品*符合IEC標(biao)準(zhun)。

二、     技術特(te)點(dian)

1．     薄膜鉑熱電阻(zu)元(yuan)件用(yong)陶瓷和鉑制(zhi)成(cheng)，因而在(zai)高(gao)溫下能夠保持優良的穩定性，適合在(zai)-50～400℃的(de)溫(wen)度下使用。

2．   鉑薄膜通(tong)過(guo)激光噴濺在陶(tao)瓷(ci)表層，因(yin)而它具有良好的防(fang)震(zhen)和防(fang)沖擊性能。

3． ;   薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的(de)絕緣(yuan)性(xing)。

4．   引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。

5．   規(gui)格(ge)：

型號	規(gui)格(ge) 長×寬×高(gao)	阻值	測量電流(liu)	精度	測(ce)量(liang)范圍	熱響(xiang)應時間
CRZ-1632	3.2×1.6×1.0	PT100 PT100	≤1mA	A	-50～550℃	≤0.3S
CRZ-2005	5.0×2.0×1.1	PT50	≤2mA	A	-50～400℃
CRZ-2005	5.0×2.0×1.0	PT10	≤0.5mA	B	-50～500℃