1．              測溫范圍、允差

2.熱(re)響應時間

   在(zai)溫度出現階躍變化時,熱電阻(zu)的(de)電阻(zu)值變化至相當(dang)于該階躍變化的(de)50%，所需要的時間稱(cheng)為(wei)熱響應時間，用t0.5表示。

3.自熱(re)影響

鉑電(dian)(dian)阻允許通過(guo)電(dian)(dian)流1mA，zui大測量電流(liu)為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。

4.電阻溫度(du)系數(shu)（α）與標稱(cheng)值的(de)偏差

5.絕緣電(dian)阻

     當周圍空(kong)氣溫(wen)度15-35℃和相對濕度(du)小于80%時熱(re)電阻(zu)絕緣電阻(zu)不小于100MΩ。

薄(bo)膜鉑電阻元件

一、         概述

      CRZ系列薄(bo)膜(mo)鉑熱電阻元件是把(ba)金屬(shu)鉑研制(zhi)成粉漿，采用*的(de)激(ji)光噴濺薄(bo)膜(mo)技術(shu)及光刻法和(he)干燥蝕刻法把(ba)附著在陶瓷(ci)基片上形成膜(mo)，引(yin)線經(jing)過激(ji)光調阻制(zhi)成，*自動的(de)生產程序保證了產品*符合IEC標準(zhun)。

二、        ; 技術特點

1．              薄(bo)膜鉑熱(re)電阻(zu)元件用陶瓷和鉑制成(cheng)，因而在高溫下能夠保持優良(liang)的穩定性，適合在-50～400℃的(de)溫度下使用。

2．              鉑薄膜通過(guo)激光噴濺在陶瓷表層(ceng)，因(yin)而它具(ju)有良好的(de)防震和防沖擊(ji)性能。

3． ;             薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受(shou)高壓，并具有良好的(de)絕緣性(xing)。

4．              引(yin)線材料為鎳鍍金和純(chun)鈀兩種。

5．              規格：

6．              精度：