1．        ;      測溫(wen)范圍、允差

2.熱(re)響(xiang)應(ying)時間

   在溫度出現階躍變化時(shi),熱(re)電(dian)(dian)阻的(de)電(dian)(dian)阻值變化至相(xiang)當于該(gai)階躍變化的(de)50%，所需要的時間(jian)稱為熱響應時間(jian)，用t0.5表示。

3.自(zi)熱影響

鉑電(dian)阻允許通過(guo)電(dian)流1mA，zui大測量電(dian)流(liu)為5mA，由此產生(sheng)的升溫不大于0.3℃。

4.電(dian)阻(zu)溫度系數（α）與標稱值(zhi)的(de)偏差

5.絕緣(yuan)電阻

     當周圍空(kong)氣溫度15-35℃和相(xiang)對濕度小于80%時(shi)熱電阻絕緣(yuan)電阻不小于100MΩ。

薄膜鉑電阻(zu)元件

一、         概述

      CRZ系(xi)列(lie)薄膜(mo)(mo)鉑(bo)熱電阻元件是把金屬鉑(bo)研制(zhi)成粉(fen)漿，采用(yong)*的激光噴濺(jian)薄膜(mo)(mo)技術及(ji)光刻法(fa)和干燥蝕刻法(fa)把附著在陶(tao)瓷基片上形(xing)成膜(mo)(mo)，引線經過(guo)激光調阻制(zhi)成，*自動(dong)的生產程序(xu)保證了(le)產品*符合(he)IEC標(biao)準(zhun)。

二(er)、         技術特(te)點

1．              薄膜(mo)鉑熱電阻元件用陶瓷(ci)和鉑制成(cheng)，因(yin)而(er)在高溫下能夠保持優(you)良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下(xia)使用。

2．              鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表(biao)層，因而它具有(you)良好的(de)防震和防沖擊性能(neng)。

3．     ;         薄(bo)膜表面蓋以陶(tao)瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣(yuan)性(xing)。

4．              引線材料(liao)為鎳鍍金和純鈀兩種。

5．              規格：

6．              精度：