上儀三廠鉑熱電阻，WZPK-135U

更新時間：2024-02-28

簡要描述：

上(shang)儀三廠鉑熱(re)電(dian)阻(zu)(zu)(zu)，WZPK-135U, 熱(re)電(dian)阻(zu)(zu)(zu)的工作原理：在(zai)溫度的作用下(xia)，電(dian)阻(zu)(zu)(zu)絲的電(dian)阻(zu)(zu)(zu)隨之變(bian)化(hua)而(er)變(bian)化(hua)。

上儀三廠鉑熱電阻，WZPK-135U, 熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃～﹢800℃范圍內的溫度。其優點是：偏差極小。由于它的良好電輸出性能，熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值

上儀三廠鉑熱電阻，WZPK-135U,的詳細資料：

測溫(wen)范(fan)圍、允(yun)差(cha)

名稱	型號(hao)	分(fen)度(du)號	測(ce)溫范(fan)圍	等級(ji)	允許偏差
鉑電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	A	±（0.15+0.02t）
鉑電阻	WZP	Pt100 Pt10	-200~±650℃	B	±0.30+0.005t
銅電阻	WZC	Cu50 Cu100	-50~+150℃		±（0.30+0.006t）

2.熱響應時間

在溫度出現階躍變化時,熱(re)電(dian)阻的電(dian)阻值變化至相當(dang)于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為(wei)熱響應(ying)時間，用t0.5表(biao)示。

3.自(zi)熱(re)影(ying)響

鉑電阻允許通過電流(liu)1mA，zui大測(ce)量(liang)電流(liu)為5mA，由此(ci)產生的升溫(wen)不大(da)于0.3℃。

4.電(dian)阻溫度系數（α）與標稱值(zhi)的偏差

名(ming)稱	等級	α	α
鉑(bo)電阻	A	0．003851	±0.000006
鉑(bo)電阻	B	0．003851	±0.000012
銅(tong)電阻(zu)		0．004280	±0.000020

5.絕緣電阻(zu)

當周圍空氣溫(wen)度(du)15-35℃和相對(dui)濕(shi)度(du)小于80%時熱電(dian)阻絕緣電(dian)阻不小于(yu)100MΩ。

薄膜鉑電阻(zu)元件

一、   概(gai)述

CRZ系列薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)鉑熱電阻(zu)元(yuan)件是把金屬鉑研(yan)制(zhi)成(cheng)粉(fen)漿，采用*的(de)激光(guang)噴(pen)濺薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)技術及光(guang)刻法和(he)干燥蝕刻法把附著在陶瓷基(ji)片上形成(cheng)膜(mo)(mo)，引線(xian)經過激光(guang)調阻(zu)制(zhi)成(cheng)，*自動的(de)生產程(cheng)序保(bao)證了產品*符合IEC標準。

二(er)、   技術特點

1．   薄膜(mo)鉑(bo)熱(re)電阻元件用(yong)陶瓷和鉑(bo)制成，因(yin)而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫(wen)度下使用。

2．   ; 鉑薄膜通(tong)過激(ji)光噴濺在陶瓷表層(ceng)，因而它具有良好的防震和防沖擊(ji)性能。

3．   薄膜(mo)表面蓋以(yi)陶瓷，因(yin)而(er)元件能夠承受高壓，并具(ju)有良好的絕緣性。

4．  引線材料為(wei)鎳(nie)鍍金(jin)和純鈀兩種。

5．規格：

型號	規(gui)格長×寬×高	阻值	測量(liang)電流	精度	測量范圍(wei)	熱響應時間(jian)
CRZ-1632	3.2×1.6×1.0	PT100 PT100	≤1mA	A	-50～550℃	≤0.3S
CRZ-2005	5.0×2.0×1.1	PT50	≤2mA	A	-50～400℃
CRZ-2005	5.0×2.0×1.0	PT10	≤0.5mA	B	-50～500℃