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上儀三廠鉑熱電阻,WZPK-333U

更(geng)新時間:2024-02-28

簡要描述:

上儀三(san)廠鉑熱電(dian)阻(zu),WZPK-333U上海自動(dong)化(hua)儀表三(san)廠, 熱電(dian)阻(zu)的(de)工(gong)作原理:在(zai)溫度的(de)作用下,電(dian)阻(zu)絲(si)的(de)電(dian)阻(zu)隨之變化(hua)而變化(hua)。

上儀三廠鉑熱電阻,WZPK-333U, 熱電阻的工作原理:在溫度的作用下,電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃~﹢800℃范圍內的溫度。其優點是:偏差極小。由于它的良好電輸出性能,熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值
 上儀三廠鉑熱電阻,WZPK-333U的詳細資料:

1.              測溫范圍、允差

 

名稱

型號

分度號

測溫(wen)范圍

等級

允許(xu)偏差

鉑(bo)電阻

WZP

Pt100

Pt10

-200~±650

A

±(0.15+0.02t)

B

±0.30+0.005t

銅電(dian)阻

WZC

Cu50

Cu100

-50~+150

 

±(0.30+0.006t)

 

2.熱響應(ying)時間(jian)

   在溫度出(chu)現階躍變化時(shi),熱電(dian)阻(zu)的(de)電(dian)阻(zu)值變(bian)化至相(xiang)當(dang)于該階躍變(bian)化的(de)50%,所需(xu)要的時間稱(cheng)為(wei)熱響(xiang)應時間,用(yong)t0.5表示。

3.自(zi)熱(re)影響

鉑電阻允許通(tong)過電流1mA,zui大測量(liang)電(dian)流為5mA,由此產生的升溫不大于0.3℃。

 

4.電(dian)阻溫(wen)度系(xi)數(α)與標(biao)稱值的偏差

 

名稱

等級

α

α

鉑電阻

A

0003851

±0.000006

B

±0.000012

銅電阻

 

0004280

±0.000020

 

5.絕緣電阻

     當周圍空(kong)氣(qi)溫度15-35和(he)相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ

 

薄(bo)膜鉑電阻元件

一、         概述(shu)

      CRZ系列(lie)薄膜(mo)鉑熱電(dian)阻(zu)元件(jian)是把金屬鉑研制(zhi)成粉漿,采用*的(de)(de)激光(guang)噴濺薄膜(mo)技(ji)術及(ji)光(guang)刻(ke)(ke)法和干燥蝕刻(ke)(ke)法把附(fu)著(zhu)在陶瓷基片上(shang)形成膜(mo),引線經過激光(guang)調阻(zu)制(zhi)成,*自動的(de)(de)生產程序保證了產品(pin)*符(fu)合IEC標準。

二、   ;      技(ji)術特點(dian)

1.              薄(bo)膜鉑熱電(dian)阻元(yuan)件用陶瓷和鉑制成,因而(er)在高溫下能夠保持優良的穩(wen)定性(xing),適(shi)合(he)在-50~400℃的溫度下使用。

2.              鉑薄膜通(tong)過激(ji)光噴濺在陶瓷表層,因而它(ta)具有良(liang)好的防震和(he)防沖(chong)擊性能。

3.              薄膜(mo)表面蓋以(yi)陶瓷,因而元(yuan)件能(neng)夠(gou)承(cheng)受(shou)高壓,并具有良好的絕緣(yuan)性。

4.              引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。

5.              規格:

 

型號

規格

長×寬×高

阻值

測量電(dian)流(liu)

精(jing)度

測(ce)量范(fan)圍

熱(re)響應時間

CRZ-1632

3.2×1.6×1.0

PT100

PT100

1mA

A

-50~550℃

0.3S

CRZ-2005

5.0×2.0×1.1

PT50

2mA

A

-50~400℃

CRZ-2005

5.0×2.0×1.0

PT10

0.5mA

B

-50~500℃

 

6.              精度(du):

 

等級

α

0時的電阻值(Ω)

允許(xu)偏差(Ω)

A

 0.003851

100.00

±0.150+0.002t

B

0.003851

100.00

±0.30+0.005t

 

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